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J-GLOBAL ID：201202258424913973   整理番号：12A0067918

AlN結晶の昇華成長における成長速度と層均一性に及ぼす圧力と温度の影響

The impact of pressure and temperature on growth rate and layer uniformity in the sublimation growth of AlN crystals

著者 (3件)： GAO B. (Res. Inst. for Applied Mechanics, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  NAKANO S. (Res. Inst. for Applied Mechanics, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  KAKIMOTO K. (Res. Inst. for Applied Mechanics, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 338  号： 1  ページ： 69-74  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きいサイズのAlN結晶を生産するための大きな炉の効果的な設計に関して,AlN結晶成長の昇華およびマストランスファープロセスを研究するために,完全に連結した圧縮性流れ解析を開発した。それは圧縮可能な効果,浮力効果,アルミニウムガスと窒素ガス間の流れ結合およびStefan効果を含む。この解析の有効性を確認するために,2組の実験データを用いた。シミュレーション結果は,AlおよびN₂分圧の分布が,それぞれソースおよびシード結晶位置で最も高いAlおよび窒素分圧を持つ一定な全圧およびStefan効果のため軸方向に沿って反対であることを示した。成長チャンバ内部のガス種の分布は明らかに,二次元である。そして,それは平坦な結晶表面を曲げることができる。シミュレーション結果も,AlNの結晶成長速度が全圧を減らすこと,または,シード温度を上昇させること,またはソースとシードの温度差を増加させることによって増加できることを示した。高い窒素圧力は成長速度の減少を引き起こすが,それは半径方向の一様な成長速度を得るためには有益である。シミュレーションの結果も,良好な成長速度均一性を得るためには,現在の炉の中で,最適な温度差(40°C)があることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： シミュレーション ,  圧縮性流 ,  流動解析 ,  化合物半導体 ,  *結晶成長 ,  *昇華 ,  *成長速度 ,  *均一性 ,  薄膜 ,  *圧力 ,  *温度 ,  *窒化アルミニウム ,  アルミニウム ,  気体 ,  温度分布 ,  物理定数 ,  化学輸送
準シソーラス用語： Stefan-Boltzmann定数 ,  アルミニウムガス ,  温度差 ,  成長温度 ,  窒素ガス ,  薄膜層

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  結晶 ,  昇華 ,  成長 ,  成長速度 ,  層 ,  均一性