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J-GLOBAL ID:201202258444456528   整理番号:12A1650828

反応性RFマグネトロンスパッタリングにより低温で作製した固有水素化アモルファスシリコン膜中の水素関連結晶化

Hydrogen related crystallization in intrinsic hydrogenated amorphous silicon films prepared by reactive radiofrequency magnetron sputtering at low temperature
著者 (11件):
資料名:
巻: 522  ページ: 186-192  発行年: 2012年11月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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室温の低基板温度で反応性RFマグネトロンスパッタリングにより作製した膜の水素化ナノ結晶ケイ素成長の第一段階における非晶質からナノ結晶ケイ素への転移及び関連する水素の変化を,3~60分の蒸発時間に対して調べた。蒸着した状態の膜を,相補的実験技術を用いて特性化した。室温から800°Cで行った熱水素噴散実験により実験を終了した。結果は結晶化過程を開始するには成長の初期段階で水素過剰層の存在が必要であることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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半導体薄膜 

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