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J-GLOBAL ID：201202258545422977   整理番号：12A0238079

金属-絶縁物-半導体バイポーラトランジスタにより調べたHfO₂抵抗スイッチング

Resistive Switching in HfO₂ Probed by a Metal-Insulator-Semiconductor Bipolar Transistor

著者 (7件)： YALON E. (Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR) ,  GAVRILOV A. (Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR) ,  COHEN S. (Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR) ,  MISTELE D. (Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR) ,  MEYLER B. (Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR) ,  SALZMAN J. (Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR) ,  RITTER D. (Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 11-13  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い酸化膜中の負性抵抗に関係する抵抗スイッチング(RS)効果は将来の抵抗メモリ技術として注目されている。本稿では,金属-絶縁物-半導体バイポーラトランジスタ(MIS)バイポーラトランジスタ(MIS-BT)を使って,優れたスイッチング特性を示す,HfO₂中の伝導メカニズムを調べた。この構造により,半導体価電子バンドへの電子注入を伝導バンドへの注入から区別できる。そして,pn接合はスイッチング効果により生じた損傷を検出できる。これらのメカニズムについて考察した。

シソーラス用語： 酸化膜 ,  *MIS構造 ,  バイポーラトランジスタ ,  抵抗器 ,  負性抵抗 ,  スイッチング ,  PN接合 ,  特性 ,  *酸化ハフニウム ,  記憶素子
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  メモリ素子 ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗メモリ ,  負性抵抗素子

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁物 ,  バイポーラトランジスタ ,  HfO2 ,  抵抗スイッチング