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J-GLOBAL ID：201202258829156916   整理番号：12A0776430

電気化学ゲート金属点接触におけるメモリ効果

Memory effects in electrochemically gated metallic point contacts

著者 (6件)： MAUL R. (DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU) ,  XIE F.-q. (DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU) ,  OBERMAIR Ch. (DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU) ,  SCHOEN G. (DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU) ,  SCHIMMEL Th. (DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU) ,  WENZEL W. (DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 20  ページ： 203511-203511-5  発行年： 2012年05月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学ゲーティングは,接触構造における数原子過程の観測を可能にした。原子スケール金属接触の開放及び閉鎖中における接合コンダクタンスをモニターし,これを,原子スケール構造スイッチング過程の瞬間的なプローブとして用いた。継続するスイッチング事象における接触の量子コンダクタンスにおける明白な相関を観測し,原子スケールにおけるメモリ効果を実証した。これらの実験観測は,数スイッチングサイクルに亘る接触再構成過程の維持を示す数値シミュレーションにより裏付けられた。これらの結果は,今日の検出能力により,数原子表面再構成事象を電気化学的に制御するルートを開いた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *点接触 ,  *金属 ,  ゲート【半導体】 ,  閉鎖 ,  開口 ,  *コンダクタンス ,  *記憶効果 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *電気化学ゲーティング ,  *原子過程 ,  開放 ,  量子コンダクタンス ,  メモリ効果 ,  数値シミュレーション

分類 (3件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学 ,  ゲート ,  点接触 ,  メモリ効果