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J-GLOBAL ID：201202258898682840   整理番号：12A1217040

低k誘電材料に及ぼすプラズマ曝露の影響

The effects of plasma exposure on low-k dielectric materials

著者 (14件)： SHOHET J. L. (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  REN H. (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  NICHOLS M. T. (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  SINHA H. (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  LU W. (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  MAVRAKAKIS K. (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  LIN Q. (IBM Watson Res. Center, NY, USA) ,  RUSSELL N. M. (Tokyo Electron Ltd., NY, USA) ,  TOMOYASU M. (Tokyo Electron Ltd., NY, USA) ,  ANTONELLI G. A. (Novellus Systems, OR, USA) ,  ENGELMANN S. U. (IBM Watson Res. Center, NY, USA) ,  FULLER N. C. (IBM Watson Res. Center, NY, USA) ,  RYAN V. (GLOBALFOUNDRIES, NY, USA) ,  NISHI Y. (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8328  ページ： 83280I.1-83280I.16  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低k誘電材料に対するプラズマ性損傷は,荷電粒子衝撃,光子衝撃,及び気体ラジカルフラックスの効果の分離によって定量化できる。イオン衝撃と光子衝撃に対し,空間位置と損傷範囲は決定できるが,気体ラジカルフラックスに因る損傷効果は小さい。今回,シンクロトロンVUV放射系と電子サイクロトロン共鳴プラズマ系を用いて,SiCOHと光プログラマブル低k誘電材料の損傷効果を検討した。イオンフラックス堆積表面電荷は誘電体に捕獲電荷を導入することがわかった。

シソーラス用語： *プラズマ曝露 ,  誘電体 ,  *誘電材料 ,  *損傷 ,  イオン衝突 ,  ラジカル ,  シンクロトロン放射 ,  ECRプラズマ ,  表面電荷 ,  時間依存性 ,  真空紫外線
準シソーラス用語： 光子衝突 ,  低k誘電体 ,  捕獲電荷 ,  誘電破壊

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 誘電材料 ,  プラズマ曝露