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J-GLOBAL ID：201202258900189359   整理番号：12A1006168

金属埋め込みナノ粒子を含む4H-SiCのNi接触部に関する金属の仕事関数,及びドーピング濃度依存バリア高さ

Metal Work-function and Doping-Concentration Dependent Barrier Height of Ni-Contacts to 4H-SiC with Metal-Embedded Nano-Particles

著者 (7件)： KANG M.-S. (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  LEE J.-H. (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  HALLEN A. (Royal Inst. of Technol., Kista, SWE) ,  ZETTERLING C.-M. (Royal Inst. of Technol., Kista, SWE) ,  BAHNG W. (Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR) ,  KIM N.-K. (Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR) ,  KOO S.-M. (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.2  ページ： 857-860  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： 埋め込み ,  ナノ粒子 ,  4H-SiC ,  Ni ,  接触部 ,  仕事関数 ,  ドーピング ,  バリア