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J-GLOBAL ID：201202259005332550   整理番号：12A1466388

部位特異的走査型拡散抵抗顕微鏡によるホウ素ドーパント変動の直接観察

Direct Observation of Boron Dopant Fluctuation by Site-Specific Scanning Spreading Resistance Microscopy

著者 (12件)： ZHANG L. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MITANI Y. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KINOSHITA A. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKENO S. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGURO K. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIZUSHIMA I. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MORI S. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAMOTO K. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KOGA J. (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HARA K. (Toshiba Corp., Oita, JPN) ,  HAYASE Y. (Toshiba Corp., Oita, JPN) ,  OGATA S. (Toshiba Corp., Oita, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 84-88  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 部位特異的走査型拡散抵抗顕微鏡(SSRM)によりスケールn型MOSFETs(nFETs)および各種Bドープエピ層の活性Bドーパントの不連続分布および変動を観察した。すなわち,狭および短チャンネルnFETsの基板領域および,Bドープエピ層構造の活性Bドーパントと不連続分布を直接観察した。この変動はnFETsのV_th変動の基点を説明する。B変動は中間ドーピング水準で活性Bドーパントの偏析に寄与し,熱拡散はB変動の重要な役割を果たす。

シソーラス用語： 層 ,  エピタクシー ,  *顕微鏡観察 ,  顕微鏡 ,  性質 ,  変動 ,  偏析 ,  ドーパント ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： *走査型拡散抵抗顕微鏡 ,  部位特異性 ,  ホウ素ドーパント変動

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 走査型 ,  拡散抵抗 ,  顕微鏡 ,  ホウ素 ,  ドーパント