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J-GLOBAL ID：201202259130793992   整理番号：12A1237349

近赤外領域におけるSi光検出器光感受性の向上とドレスト光子による光増幅の顕在化

Increasing Si photodetector photosensitivity in near-infrared region and manifestation of optical amplification by dressed photons

著者 (5件)： TANAKA H. (The Univ. of Tokyo, Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, 2-11-16 ...) ,  KAWAZOE T. (The Univ. of Tokyo, Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, 2-11-16 ...) ,  KAWAZOE T. (The Univ. of Tokyo, Nanophotonics Res. Center, Graduate School of Engineering, 2-11-16 Yayoi, 113-8656, Bunkyo-ku ...) ,  OHTSU M. (The Univ. of Tokyo, Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, 2-11-16 ...) ,  OHTSU M. (The Univ. of Tokyo, Nanophotonics Res. Center, Graduate School of Engineering, 2-11-16 Yayoi, 113-8656, Bunkyo-ku ...)
資料名： Applied Physics. B. Lasers and Optics  (Applied Physics. B. Lasers and Optics)
巻： 108  号： 1  ページ： 51-56  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0501B  ISSN： 0946-2171  CODEN： APBOEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-nホモ接合を有するSi結晶をフォノン支援焼なましして新しい光検出器を作製した。波長が1.16μm以上の入射光に対するこの素子の光感受性は基準のSi-PINフォトダイオードよりも約三倍高い。順電流密度が9A/cm²のとき,0.10A/Wの光感受性を達成した。この値は零バイアス光感受性の少なくとも4000倍である。この顕著な向上は順方向電流注入により生じた光増幅の顕在化に起因した。9A/cm²の順方向電流密度では,小信号利得係数は2.2×10^-2であった。Copyright 2012 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光検出器 ,  *光増幅 ,  感受性 ,  電流密度 ,  注入 ,  小信号利得 ,  近赤外線
準シソーラス用語： 光感受性 ,  電流注入

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 近赤外領域 ,  Si ,  光検出器 ,  光感受性 ,  ドレスト光子 ,  光増幅