文献

J-GLOBAL ID：201202259288668125   整理番号：12A0929970

自立したGaN基板上に分子ビームエピタクシーによって成長させたAl_0.18Ga_0.82N/GaNから成る共鳴トンネルダイオードにおける再現性の良い低温での負の微分抵抗

Repeatable low-temperature negative-differential resistance from Al_0.18Ga_0.82N/GaN resonant tunneling diodes grown by molecular-beam epitaxy on free-standing GaN substrates

著者 (7件)： LI D. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  TANG L. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  EDMUNDS C. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  SHAO J. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  GARDNER G. (Birck Nanotechnology Center, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  MANFRA M. J. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  MALIS O. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 25  ページ： 252105-252105-4  発行年： 2012年06月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタクシーによって作製された自立構造を持つc面のGaN基板上に,プラズマ支援分子ビームエピタクシーによってアルミニウムの組成比の低いAlGaN/GaNから成る二重障壁型共鳴トンネル構造を構築した。面積が4×4μm²の素子に関する77Kでの測定において,1.5Vおよび1.7Vで,明瞭かつ再現性の良い負性微分抵抗が観測された。比較的小さい値を持つ最大ピーク-谷比(1.03),および電気的特性の面積依存性から,電荷輸送は転位を基本とする漏洩経路によって影響されることが判明した。しかし,データの再現性から,自立構造を持つGaN基板上にGaを多量に含む条件下で,分子ビームエピタクシーによって成長させた共鳴トンネルダイオードの電荷輸送において,電気的トラップは重要な役割を果たさないことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  *窒化ガリウム ,  MBE成長 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  エピタクシー ,  膜 ,  *共鳴トンネルダイオード ,  共鳴トンネル効果 ,  電流電圧特性 ,  負性抵抗 ,  面積 ,  転位【結晶】 ,  漏れ電流 ,  低温
準シソーラス用語： プラズマ支援MBE成長 ,  自立膜 ,  水素化物気相エピタクシー ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  負性微分抵抗

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自立 ,  GaN ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  共鳴トンネルダイオード ,  再現性 ,  低温 ,  微分抵抗