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J-GLOBAL ID：201202259410036127   整理番号：12A0873953

SiO₂マトリックス中に埋込んだリンドープシリコンナノ結晶のドーピング効率

Doping efficiency of phosphorus doped silicon nanocrystals embedded in a SiO₂ matrix

著者 (6件)： GUTSCH S. (IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU) ,  HARTEL A. M. (IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU) ,  HILLER D. (IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU) ,  ZAKHAROV N. (Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle) ,  WERNER P. (Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle) ,  ZACHARIAS M. (IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 23  ページ： 233115-233115-4  発行年： 2012年06月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超格子法に従ったプラズマ増強化学蒸着を用いて,酸窒化シリコンマトリックス中の強くサイズを制御したシリコンナノ結晶を調製した。ドーピングは前駆体ガスとして希釈したホスフィンを添加して実現した。リンの定量化は2次イオン質量分析法により行った。界面の欠陥とドーパントのPoisson分布に基づくモデルを提案して,リン濃度の関数として,シリコンナノ結晶当たりの欠陥とドーパントを計算した。このモデルは,不動態化試料と非不動態化試料からの光ルミネセンススペクトルを比較する必要がある。最後に,酸窒化シリコン中に埋込んだシリコンナノ結晶のドーピング効率は>20%と評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  マトリックス【母体】 ,  埋込み【挿入】 ,  *ケイ素 ,  リン ,  *ドーピング ,  効率 ,  *ナノ結晶 ,  プラズマCVD ,  ホスフィン ,  二次イオン質量分析 ,  欠陥密度 ,  ドーパント ,  Poisson分布 ,  *光ルミネセンス ,  不動態化 ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  絶縁膜 ,  窒化物
準シソーラス用語： ドーピング効率 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  酸窒化ケイ素

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  マトリックス ,  埋込 ,  結晶 ,  ドーピング