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J-GLOBAL ID：201202259524162114   整理番号：12A0582066

CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合部のMgO障壁における電子構造へのアニールの間の拡散Bの効果

Effect of Diffused B During Annealing on the Electronic Structure of the MgO Barrier in CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions

著者 (5件)： HAN Yoonsung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  HAN Jinhee (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Hyoung Joon (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  SHIN Hyun-Joon (Pohang Accelerator Lab., Gyeongbuk, KOR) ,  HONG Jongill (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 3  ページ： 033001.1-033001.3  発行年： 2012年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合部のMgO層におけるホウ素の化学状態と電子構造をシンクロトロン放射X線光電子分光法と第一原理計算によって研究した。トップCoFeBで,酸化,中間,金属ホウ素に対応する3つのホウ素1sピークを観察した。アニール薄膜をエッチングするとB₂O₃は,Mg 2p ピーク と共に現れ始め,MgO障壁にホウ素原子拡散を示唆した。計算は,MgO障壁でのB不純物が中間ギャップ状態をつくらないが,ホウ素濃度の増加でMgO障壁高さを減らすことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  ホウ化物 ,  *酸化マグネシウム ,  *トンネル接合 ,  *磁気 ,  障壁 ,  ホウ素 ,  拡散 ,  *電子構造

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

引用文献 (29件)：

• WOLF, S. A. Science. 2001, 294, 1488
• DAS SARMA, S. Am. Sci. 2001, 89, 516
• REOHR, W. IEEE Circuits Devices Mag. 2002, 18, 17
• CHILDRESS, J. R. J. Appl. Phys. 2001, 89, 7353
• KATINE, J. A. J. Magn. Magn. Mater. 2008, 320, 1217

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  磁気トンネル接合 ,  障壁 ,  電子構造 ,  アニール ,  拡散