文献

J-GLOBAL ID：201202259893688839   整理番号：12A1218922

InGaAsP障壁層中のインジウムとリン組成を増すことによるInP(001)基板上のInAs柱状量子ドットの光ルミネセンス強度の増加

Increase in Photoluminescence Intensity of InAs Columnar Quantum Dots on InP(001) Substrate by Increasing Indium and Phosphorous Composition in InGaAsP Barrier Layers

著者 (8件)： OKUMURA Shigekazu (Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo) ,  OKUMURA Shigekazu (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YASUOKA Nami (Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo) ,  YASUOKA Nami (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAWAGUCHI Kenichi (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  TANAKA Yu (Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo) ,  TANAKA Yu (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN) ,  EKAWA Mitsuru (Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8271  ページ： 82710R.1-82710R.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAsP合金のバンドギャップと歪の双方を変えることによるInAs柱状量子ドット(CQD)の光学的及び構造特性に及ぼす障壁層の混和性の効果を研究した。CQDの発光波長は,InGaAsP障壁層の歪により,それが混和性ギャップの内側にあろうと外側にあろうと,制御できた。CQDの光ルミネセンス(PL)強度はInGaAsP障壁層のバンドギャップ波長(λ_g)が短くなると大きくなる傾向があった。一定λ_gのもとの歪依存性については,組成が混和性ギャップ中に深くなるにつれてPL強度は減少した。他方,混和性ギャップの外側の短いλ_gのもとで,この実験では,PL強度は引張応力の範囲で維持された。TEM観察からは,混和性ギャップの深いところにある長いλ_gのInGaAsP障壁層は,CQD中および間座層中にいくらかの欠陥を引き起こし,CQDの結晶性劣化の結果をもたらした。同様に,単一積層CQDsの場合には,3層積層CQDを適用したもっと短いλ_gをもつInGaAsP障壁層が半導体光増幅器(SOA)応用のために適した良結晶品質を有することが確認された。

シソーラス用語： リン化インジウム ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  構造 ,  *量子ドット ,  多重量子井戸 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  引張応力 ,  格子歪 ,  バンドギャップ ,  相溶性 ,  MOCVD ,  *エピタクシー ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  半導体光増幅器
準シソーラス用語： 柱状構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： InGaAsP ,  障壁層 ,  インジウム ,  リン ,  組成 ,  InP ,  InAs ,  量子ドット ,  光ルミネセンス