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J-GLOBAL ID:201202260036093080   整理番号:12A0111505

ケイ素リッチな窒化ケイ素薄膜に埋め込まれたケイ素ナノ結晶に対するエキシマレーザアニールの影響

Effect of excimer laser annealing on the silicon nanocrystals embedded in silicon-rich silicon nitride film
著者 (10件):
資料名:
巻: 106  号:ページ: 251-255  発行年: 2012年01月 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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プラズマ促進化学蒸着によって成長させエキシマレーザによるアニールを行ったケイ素リッチな窒化ケイ素薄膜の研究を系統的に行った。エキシマレーザアニール後,薄膜の表面粗さと結晶性は改善した。試料は,室温での光学励起下で可視光ルミネセンス発光を示した。発光ピークエネルギーと発光強度はレーザアニール条件によって変化し,その機構を詳細に検討した。研究により,窒化ケイ素薄膜に埋め込まれたケイ素ナノ結晶のサイズ制御可能性が示され,発光ダイオード及び太陽電池といったオプトエレクトロニクス素子への応用が期待される。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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