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J-GLOBAL ID：201202260198100004   整理番号：12A1053120

プラズマ電界効果トランジスタのテラヘルツ応答性の温度増強

Temperature enhancement of terahertz responsivity of plasma field effect transistors

著者 (12件)： KLIMENKO Oleg A. (UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA) ,  KNAP Wojciech (UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA) ,  INIGUEZ Benjamin (Dep. of Electronic, Electrical and Automatic Control Engineering, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona 43007, ESP) ,  COQUILLAT Dominique (UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA) ,  MITYAGIN Yury A. (P. N. Lebedev Physical Inst. of RAS, Moscow 119991, RUS) ,  TEPPE Frederic (UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA) ,  DYAKONOVA Nina (UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA) ,  VIDELIER Hadley (UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA) ,  BUT Dmitry (UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA) ,  LIME Francois (Dep. of Electronic, Electrical and Automatic Control Engineering, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona 43007, ESP) ,  MARCZEWSKI Jacek (Inst. of Electron Technol., Warsaw 02-668, POL) ,  KUCHARSKI Krzysztof (Inst. of Electron Technol., Warsaw 02-668, POL)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 014506-014506-5  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタによるTHz検出の温度依存性を,275Kから5Kまでの広範な温度において調べた。室温から30K以下まで冷却していった場合,1/Tの関数依存性にしたがって光応答が顕著に増大することが観測された。30K以下の温度では,THz応答は飽和し,温度に依存せず一定に留まった。GaAs,GaN,Siを用いた電界効果トランジスタについても,同様な特性が見られた。最近の電界効果トランジスタ中の過減衰プラズマ励起の理論を用いて,高温データを説明することができた。光応答の低温での飽和を,輸送領域が拡散領域からバリスティックあるいはトラップに支配される領域へ変化することによって暫定的に説明した。本結果は,電界効果トランジスタによるTHz検出は,温度を下げることによって応答性が改善されるが,(30K以下の)低温においては,さらなる改善が電子輸送自身の物理によって妨げられることを明白に示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *検出器 ,  *スイッチング素子 ,  応答 ,  バリスティック輸送
準シソーラス用語： *テラヘルツ波検出器 ,  *電界効果トランジスタスイッチ ,  光応答

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  電界効果トランジスタ ,  テラヘルツ ,  応答性 ,  増強