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J-GLOBAL ID：201202260272053072   整理番号：12A1510424

サブkeV電子顕微鏡のための高効率シリコンフォトダイオード検出器

High-Efficiency Silicon Photodiode Detector for Sub-keV Electron Microscopy

著者 (10件)： SAKIC Agata (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  VAN VEEN Gerard (FEI Co., Eindhoven, NLD) ,  KOOIJMAN Kees (FEI Co., Eindhoven, NLD) ,  VOGELSANG Patrick (FEI Co., Eindhoven, NLD) ,  SCHOLTES Tom L.M. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  DE BOER Wiebe B. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  DERAKHSHANDEH Jaber (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  WIEN Wim H.A. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  MILOSAVLJEVIC Silvana (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  NANVER Lis K. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 10  ページ： 2707-2714  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SEMのシリコンフォトダイオード検出器で,ナノメータ厚のフォトセンシティブアノードをデポジットする純ボロン層フォトダイオード技術を用い,サブkeV電子エネルギーのイメージング能力を高めた。その結果を,後方散乱電子を使ったイメージングを50eVの電子ランディングエネルギーで示した。検出器は凋密に束ねたフォトダイオードで構成され,高い走査速度を得るために各フォトダイオードは低抵抗低容量に作られている。低容量は厚い高抵抗のエピタキシャル層で作られ,低抵抗はダイオードのメタライゼーションをナノメータ厚の純ボロン入射窓の上にグリッド状にパターニングして達成した。そして,検出器の中央にあるスル-ウエハアパーチャを,SEMシステムのフレキシブルな位置決めに対応してマイクロマシニングで形成した。

シソーラス用語： 後方散乱 ,  *電子顕微鏡 ,  電子 ,  検出 ,  *フォトダイオード ,  エピタクシー ,  エネルギー ,  画像処理 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： イメージング ,  低エネルギー ,  *電子検出

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  電子顕微鏡 ,  高効率 ,  シリコン ,  フォトダイオード ,  検出器