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J-GLOBAL ID：201202260285316641   整理番号：12A0363630

シリコン上の高度格子-不整合エピタキシーにおける埋め込みヘテロ界面水素の解析

Analysis of buried heterointerfacial hydrogen in highly lattice-mismatched epitaxy on silicon

著者 (8件)： YAMAZAKI T. ,  ASAOKA H. ,  TAGUCHI T. ,  YAMAMOTO S. ,  YAMAZAKI D. ,  MARUYAMA R. ,  TAKEDA M. ,  SHAMOTO S.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 8  ページ： 3300-3303  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上にHの単原子層を導入することによってSiとの大きい格子不整合(12%)にもかかわらず,Si(111)上に原子的に急峻なヘテロ界面のSr層のエピタキシャル成長を実現した 埋め込みHを確認するために,中性子リフレクトメトリと,¹H(¹⁵N,αγ)¹²C解析の共鳴核反応を含む組合せ解析を実行した。埋め込みヘテロ界面でのHとD原子の間のコントラスト変化から生じる異なる中性子反射率プロフィールを見つけた。さらに,深γ光線強度プロフィールは,ヘテロ界面のHがSi上の高度不整合エピタキシーの管理を可能にする有効なバッファ層として働くことを明らかにした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  格子不整合 ,  エピタクシー ,  *界面 ,  *水素 ,  ストロンチウム ,  *中性子反射 ,  バッファ層 ,  *埋込み【挿入】 ,  *単原子層 ,  *核反応 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： 共鳴核反応

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  高度 ,  格子 ,  不整合 ,  エピタキシー ,  埋め込み ,  ヘテロ界面 ,  水素 ,  解析