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J-GLOBAL ID：201202260406036200   整理番号：12A1013889

20nm×20nmピッチのドット配列の形成;薄いカリックスアレーンのレジストについて30keVのEB描画を用いたパターン形成媒質用の20nm

Formation of dot arrays with a pitch of 20 nm × 20 nm for patterned media using 30 keV EB drawing on thin calixarene resist

著者 (5件)： BIN MOHAMAD Zulfakri (Gunma Univ., Kiryu) ,  SHIRAI Masumi (Gunma Univ., Kiryu) ,  SONE Hayato ,  HOSAKA Sumio ,  KODERA Masatoshi
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 19  号： 2  ページ： 025301-1-4  発行年： 2008年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ネガレジストのカリックスアレーンに30keVの電子ビーム(EB)描画を使用して,20nm×20nmのピッチの非常に微細なピッチのドットアレイを達成する可能性を検討した。このようなパターンを形成するために,ドットサイズと充填のレジスト厚み依存性を調べた。非常に高度に詰め込まドットアレイ形成のために極めて薄い膜にEB描画を提案する。この実験結果から,20nm×20nmのピッチと約13nmのレジスト厚みを持つ非常に高密度のドットアレイパターンを形成する可能性を示すが,これは16Tビットin^-2に相当する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  *レジスト ,  パターン形成 ,  依存性 ,  ピッチ【機械要素】 ,  *網点 ,  *配列 ,  密度 ,  *カリックスアレーン
準シソーラス用語： *カリキサレン ,  厚さ依存性 ,  高密度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ピッチ ,  ドット ,  カリックスアレーン ,  レジスト ,  EB ,  描画 ,  パターン形成 ,  媒質