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J-GLOBAL ID：201202260406881430   整理番号：12A1006152

4H-SiC MOSFET上の周波数依存電荷ポンピング

Frequency-dependent Charge Pumping on 4H-SiC MOSFETs

著者 (5件)： YU Liangchun (GE Global Res., NY, USA) ,  YU Liangchun (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  FRONHEISER Jody (GE Global Res., NY, USA) ,  TILAK Vinayak (GE Global Res., NY, USA) ,  CHEUNG Kin P. (National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.2  ページ： 793-796  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  MOSFET ,  周波数依存 ,  電荷ポンピング