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J-GLOBAL ID：201202260423939728   整理番号：12A0345000

プラズマ事後酸化により作製した1nmEOT Al₂O₃/GeO_x/Geゲートスタックを有する高移動度Ge-pMOSFET

High-Mobility Ge pMOSFET With 1-nm EOT Al₂O₃/GeO_x/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation

著者 (5件)： ZHANG Rui (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWASAKI Takashi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAOKA Noriyuki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 2  ページ： 335-341  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたGeO_x/Ge金属-酸化物-半導体(MOS)界面をもつ超薄型等価酸化膜厚(EOT)Al₂O₃/Geゲートスタックと,このゲートスタックを用いたpチャネルMOSFETを,プラズマ事後酸化処理技術によりつくった。このGeO_x/Ge-MOS界面の特性を系統立てて研究し,GeO_x/Ge界面における界面状態密度(D_it)とGeO_x界面層の厚みの間に普遍的な相関性が存在することを明らかにした。0.98nmまでのEOTについて,Al₂O₃/GeO_x/Geゲートスタックを用いる(100)Ge基板面上のGe-pMOSFETについてこれを実証した。このGe-pMOSFETは1.18,1.06および0.98nmのEOTに,それぞれ,515,466および401cm²/V・sの正孔移動度ピーク値を示した。これらの値は過去に報告された正孔移動度よりもはるかに弱いEOT依存性の傾向を示した。

シソーラス用語： 膜厚 ,  等価性 ,  絶縁膜 ,  酸化膜 ,  ゲルマニウム ,  酸化アルミニウム ,  *プラズマ化学反応 ,  酸化 ,  酸化ゲルマニウム ,  ゲート【半導体】 ,  P型半導体 ,  *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  状態密度 ,  表面準位 ,  依存性
準シソーラス用語： EOT ,  ゲートスタック ,  プラズマ酸化 ,  界面状態密度 ,  高移動度 ,  正孔移動度 ,  膜厚依存性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  酸化 ,  作製 ,  Al2O3 ,  Ge ,  ゲートスタック ,  高移動度 ,  pMOSFET