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J-GLOBAL ID：201202260628466776   整理番号：12A0038340

(1 1 1)指向InGaAsチャネル金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタにおける電子移動度向上の原因

Origin of electron mobility enhancement in (1 1 1)-oriented InGaAs channel metal-insulator-semiconductor field-effect-transistors

著者 (12件)： MIYATA Noriyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  ISHII Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  URABE Yuji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  ITATANI Taro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  YASUDA Tetsuji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  YAMADA Hisashi (Sumitomo Chemical, Tsukuba, JPN) ,  FUKUHARA Noboru (Sumitomo Chemical, Tsukuba, JPN) ,  HATA Masahiko (Sumitomo Chemical, Tsukuba, JPN) ,  DEURA Momoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 88  号： 12  ページ： 3459-3461  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  チャネル ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ ,  電子移動度 ,  原因