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J-GLOBAL ID：201202260728241364   整理番号：12A0333966

TiO₂薄膜の結晶相制御のためのプラズマ支援ALD(原子層堆積)の際の基板バイアス

Substrate Biasing during Plasma-Assisted ALD for Crystalline Phase-Control of TiO₂ Thin Films

著者 (3件)： PROFIJT H. B. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  VAN DE SANDEN M. C. M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  KESSELS W. M. M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 2  ページ： G1-G3  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは基板のバイアスがプラズマ支援原子層堆積(ALD)の際に超薄膜の材料特性を調整するために実行可能な手法であることを実証した。より具体的には,基板バイアスによって比較的低い基板温度で堆積したTiO₂薄膜の相組成にわたる制御が可能になることが示された。ルチルTiO₂は200および300°Cで得られたが,バイアスなしでは典型的に非晶質およびアナターゼ膜が得られた。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  制御 ,  プラズマCVD ,  *バイアス ,  基板温度 ,  超薄膜 ,  調整 ,  相組成 ,  可制御性 ,  ルチル型結晶 ,  非晶質 ,  アナターゼ型結晶 ,  結晶構造 ,  薄膜成長 ,  温度依存性
準シソーラス用語： バイアス依存性 ,  *基板バイアス ,  結晶相 ,  原子層堆積 ,  材料特性 ,  酸化物薄膜 ,  *二酸化チタン

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： TiO2 ,  薄膜 ,  結晶相 ,  プラズマ ,  支援 ,  ALD ,  原子層堆積 ,  基板バイアス