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J-GLOBAL ID：201202260748563244   整理番号：12A1773662

PECVD窒化シリコン層の構造,組成および光学特性

Structural, compositional and optical properties of PECVD silicon nitride layers

著者 (4件)： KAROUTA Fouad (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  VORA Kaushal (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  TIAN Jie (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  JAGADISH Chennupati (Australian National Univ., ACT, AUS)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 44  ページ： 445301,1-10  発行年： 2012年11月07日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着(PECVD)法を用いてSiウエハ基板上に作製したSiN_x層の構造,組成および光学特性と,いろいろなプロセスパラメータとの相関を調べた。プロセスパラメータはガス組成,高周波のパワーと周波数,および堆積温度である。SiONおよびアンモニアを含まないSiN_x層についても同様に調べた。誘電層の屈折率,膜厚,残留応力,構造および組成を干渉計,ウエハの反り,走査電子顕微鏡,フーリエ変換遠赤外および2次イオン質量分析を用いて決定した。SiN_x膜は水素含有濃度が比較的少なく(Hとして10-19%),ほとんど応力を含まない膜であった。SiON層はSiO_xとSiN_xの屈折率(1.4~2.1)を完全にカバーするポテンシャルを有しており,フォトニクスへの応用に適している。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *窒化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  プロセスパラメータ ,  酸化物 ,  *窒化物 ,  *ケイ素化合物 ,  *屈折率 ,  膜厚 ,  *残留応力 ,  化学組成 ,  微細構造 ,  赤外吸収スペクトル ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： *オキシ窒化物 ,  FTIRスペクトル

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： PECVD ,  窒化シリコン ,  組成 ,  光学特性