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J-GLOBAL ID：201202260806896917   整理番号：12A1771489

オフ角制御高圧高温合成IIa型基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と評価 3~CH₄濃度・RF出力の電荷キャリア輸送特性への影響~

著者 (9件)： 佐竹良太 (北大 院工学研究院) ,  金子純一 (北大 院工学研究院) ,  宮崎大二郎 (北大 院工学研究院) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  梅沢仁 (産業技術総合研) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研) ,  磯部光孝 (核融合科研)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 26th  ページ： 28-29  発行年： 2012年11月16日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *結晶成長 ,  *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  基板 ,  化学合成 ,  角度 ,  エピタクシー ,  *プラズマCVD ,  濃度依存性 ,  出力 ,  キャリア ,  特性 ,  結晶度 ,  基板温度 ,  アルカン ,  *単結晶ダイアモンド ,  高温高圧合成 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  電荷キャリア ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： オフ角 ,  RF出力 ,  輸送特性

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (8件)： オフ角 ,  高圧高温 ,  CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  評価 ,  RF出力 ,  電荷キャリア ,  輸送特性