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J-GLOBAL ID：201202260948567970   整理番号：12A0273729

InNを用いた高性能1.55μm量子ドットへテロ構造レーザの提案

Proposal of High Performance 1.55μm Quantum Dot Heterostructure Laser Using InN
著者 (7件)：
HOSSAIN Md. Mottaleb

HOSSAIN Md. Mottaleb について

(Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET))

Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET) について

, 
HUMAYUN Md. Abdullah-AL

HUMAYUN Md. Abdullah-AL について

(Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET))

Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET) について

, 
HASAN Md. Tanvir

HASAN Md. Tanvir について

(Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET))

Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET) について

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BHUIYAN Ashraful Ghani

BHUIYAN Ashraful Ghani について

(Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET))

Dept. of Electrical & Electronic Engineering, Khulna Univ. of Engineering and Technol. (KUET) について

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BHUIYAN Ashraful Ghani

BHUIYAN Ashraful Ghani について

(Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui)

Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui について

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HASHIMOTO Akihiro

HASHIMOTO Akihiro について

(Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui)

Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui について

, 
YAMAMOTO Akio

YAMAMOTO Akio について

(Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui)

Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui について


資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers) について


巻： E95-C  号： 2  ページ： 255-261 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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初めての有望な候補として,InNを用いた1.55μm量子ドットへテロ構造レーザの理論的研究とモデリングについて報告した。設計と光伝送エネルギーの確率分布,閾値電流密度,モード利得および微分量子効率の詳細を量子ドットの単一層を考慮して提示した。閾値電流密度の,量子ドットサイズ変動のRMS値とキャビティ長への依存性を調べた。51Acm-2までの低閾値電流密度を,640μmのキャビティ長に対し,室温で達成した。65%までの外部微分量子効率と12.5cm-1までのモード利得を提案した構造で得た。この結果は,InN型の量子ドットレーザは,光通信システムに有望であることを示している。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化インジウム

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, 
素子構造

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, 
*半導体レーザ

半導体レーザ について

, 
信号伝送

信号伝送 について

, 
量子効率

量子効率 について

, 
光通信

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, 
*量子ドットレーザ

量子ドットレーザ について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ヘテロ構造

ヘテロ構造 について

, 
*光伝送

光伝送 について


分類 (2件)：
分類
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半導体レーザ 
(BD04070L)

半導体レーザ について

,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
(BM03082Y)

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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InN

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高性能

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量子ドット

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テロ

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, 
レーザ

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, 
提案

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