水素化アモルファスシリコンの拘束高圧化学堆積

BARIL Neil F.; HE Rongrui; DAY Todd D.; SPARKS Justin R.; KESHAVARZI Banafsheh; KRISHNAMURTHI Mahesh; BORHAN Ali; GOPALAN Venkatraman; PEACOCK Anna C.; HEALY Noel; SAZIO Pier J. A.; BADDING John V.

文献

J-GLOBAL ID：201202261100705430 整理番号：12A0340186

水素化アモルファスシリコンの拘束高圧化学堆積

Confined High-Pressure Chemical Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon

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資料名：
巻： 134 号： 1 ページ： 19-22 発行年： 2012年01月11日
JST資料番号： C0254A ISSN： 0002-7863 CODEN： JACSAT 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)はTFTと太陽電池のような電子的とエネルギー関連応用に重要な半導体の一種である。シランガスSiH₄前駆体からa-Si:Hを製造する挑戦は堆積薄膜に水素を組入れることを可能にする十分低い温度での分解に対する著しい速度論的障壁に打ち勝たなければならない。高濃度前駆体の使用は十分に低い温度での反応速度を増す可能性ある一手段であるが,通常の反応器ではこのようなアプローチは表面上への所望の不均一堆積よりむしろ気相中に多数の不均一核形成粒子を発生する。拘束マイクロリアクタ/ナノリアクタ中の析出がこの困難性に打ち勝ち,通常使用されるよりも数桁大にシラン濃度使用を高濃度にすることが可能(PECVD法の1~10Å/sに対して3.7Å/s)であり,一方,なお良く進化した薄膜を実現することができた。極端なアスペクト比,小さな直径の光学繊維毛細管鋳型にa-Si:Hマイクロワイヤ/ナノワイヤをこのようにして堆積することができた。堆積した半導体材料は不動態化したダングリングボンドと良好な電子的性質を有する~0.5重量%水素を有していた。非線形光学材料と太陽電池のような広範囲のフォトニックスと電子的応用に適切であった。

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塩

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