MIRANDA E. について
Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra (Cerdanyola del Valles), ESP について
SUNE J. について
Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra (Cerdanyola del Valles), ESP について
Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND について
MAHATA C. について
Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND について
MAITI C. K. について
Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND について
Journal of Applied Physics について
ヒ化ガリウム について
化学蒸着 について
酸化チタン について
酸化アルミニウム について
多層構造 について
フィラメント について
劣化 について
電流電圧特性 について
ヒステリシス について
スイッチング について
絶縁破壊 について
相関 について
対相関関数 について
ヒストグラム について
化合物半導体 について
電場 について
高電圧 について
バイアス電圧 について
原子層堆積 について
抵抗スイッチング について
電圧ストレス について
導電フィラメント について
誘電破壊 について
絶縁材料 について
誘電体一般 について
GaAs について
高電場 について
ストレス について
原子層堆積 について
TiO2 について
Al2O3 について
多層構造 について
多重 について
フィラメント について
伝導 について
解析 について
キャラクタリゼーション について