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J-GLOBAL ID：201202261230212584   整理番号：12A1405427

GaAs上の高電場ストレス下の原子層堆積TiO₂/Al₂O₃ナノ多層構造の多重フィラメント伝導パターンの劣化解析とキャラクタリゼーション

Degradation analysis and characterization of multifilamentary conduction patterns in high-field stressed atomic-layer-deposited TiO₂/Al₂O₃ nanolaminates on GaAs

著者 (5件)： MIRANDA E. (Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra (Cerdanyola del Valles), ESP) ,  SUNE J. (Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra (Cerdanyola del Valles), ESP) ,  DAS T. (Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND) ,  MAHATA C. (Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND) ,  MAITI C. K. (Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 6  ページ： 064113-064113-8  発行年： 2012年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,p型GaAs基板上の高電圧ストレス下の原子層堆積成長TiO₂/Al₂O₃ナノ多層構造への高電圧ストレス印加の効果を調べた。先ず,定電圧ストレスの間の素子の電流-時間(I-t)特性は誘電劣化のCurie-von Schweidler則に従った。バイアス電圧を負から正へそして戻す掃引により電流電圧(I-V)特性にヒステリシス挙動が現れたが,それは高誘電率酸化物膜の抵抗スイッチングに典型的なものである。次に,誘電破壊事象検出の後でコンデンサがその上部金属電極(Al)上に乱雑なスポットパターンを呈したが,これは絶縁膜を横切る多数のフィラメント状伝導経路の生成を伴っている。生じたスポットの数は電気的ストレスに依存し,十分に大きな密度であると,それらが空間的に相関していないことを証明することができる。その解析は強度プロット,スポット間隔ヒストグラム及び対相関関数のような空間統計技法で行った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  化学蒸着 ,  *酸化チタン ,  *酸化アルミニウム ,  *多層構造 ,  フィラメント ,  劣化 ,  *電流電圧特性 ,  *ヒステリシス ,  *スイッチング ,  絶縁破壊 ,  相関 ,  対相関関数 ,  ヒストグラム ,  化合物半導体 ,  電場 ,  高電圧
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  原子層堆積 ,  抵抗スイッチング ,  *電圧ストレス ,  *導電フィラメント ,  誘電破壊

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (12件)： GaAs ,  高電場 ,  ストレス ,  原子層堆積 ,  TiO2 ,  Al2O3 ,  多層構造 ,  多重 ,  フィラメント ,  伝導 ,  解析 ,  キャラクタリゼーション