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J-GLOBAL ID：201202261284044997   整理番号：12A0059099

TiN/HfO:Nゲートスタックにおける窒素拡散の軟X線光電子分光研究

Soft X-ray photoemission study of nitrogen diffusion in TiN/HfO:N gate stacks

著者 (7件)： MARTINEZ E. (CEA-LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, FRA) ,  GAUMER C. (ST Microelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, FRA) ,  LHOSTIS S. (ST Microelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, FRA) ,  LICITRA C. (CEA-LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, FRA) ,  SILLY M. (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, 91191 Gif-sur-Yvette, FRA) ,  SIROTTI F. (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, 91191 Gif-sur-Yvette, FRA) ,  RENAULT O. (CEA-LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, FRA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 6  ページ： 2107-2112  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiN/HfO:N/SiO₂/Siスタックの物理化学的性質に及ぼすHfO:Nの窒化後アニール(PNA)とゲート作製の影響を軟X線光電子分光(S-XPS)と真空紫外分光偏光解析法(VUV-SE)を用いて研究した。プラズマ窒化過程で高k中に生じた欠陥はO₂の下でのPNAによってパシベートされる。底面のSiO₂/Si界面に向かっての酸素と窒素の両方の拡散がSiO₂の再成長と共に観察された。これらの欠陥はゲート作製の過程での窒素拡散に関して主役を演じている。PNA無しではOとN原子が高k内部にトラップされるため拡散は観測されない。PNAと同時欠陥不動態化がある場合には,窒素は金属ゲートと高kの両方から底面SiO₂/Si界面に向かって拡散する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *酸化ハフニウム ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  *二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  焼なまし ,  軟X線 ,  *X線光電子スペクトル ,  真空紫外線 ,  偏光解析法 ,  誘電体 ,  *不純物拡散 ,  不動態化 ,  *MOCVD ,  MOS構造 ,  内殻準位
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  *窒化チタン ,  高k誘電体

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (8件)： TiN ,  HFO ,  ゲートスタック ,  窒素 ,  拡散 ,  軟X線 ,  光電子分光 ,  研究