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J-GLOBAL ID：201202261396022040   整理番号：12A0153182

6H-SiC JFETにおけるWannier-Stark局在効果

Wannier-Stark Localization Effeots in 6H-SiC JFETs

著者 (3件)： SANKIN V. I. (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  SHKREBIY P. P. (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  LEBEDEV A. A. (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 483/485  ページ： 873-876  発行年： 2005年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： 6H-SiC ,  JFET