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J-GLOBAL ID：201202261914994948   整理番号：12A0555303

クロスオーバー抵抗メモリのセレクタ素子のためのSi-As-Te薄膜における閾値スイッチング

Threshold switching in Si-As-Te thin film for the selector device of crossbar resistive memory

著者 (7件)： HO LEE Jong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  HWAN KIM Gun (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  BAE AHN Young (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  WOON PARK Ji (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  WOOK RYU Seung (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  SEONG HWANG Cheol (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  JOON KIM Hyeong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 12  ページ： 123505-123505-4  発行年： 2012年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クロスオーバー抵抗メモリのためのSi-As-Te薄膜の閾値スイッチング(TS)及びセレクタ性能を研究した。膜の組成は,TSの出現を決定する主な因子であった。オン状態条件は,局所領域において起こることがわかった。組成を変えることによる閾値電圧及びオフ状態電流の変化を観測し,欠陥の濃度及びキャリアの生成効率における変化により説明した。直列接続TiO₂単極性スイッチングメモリ及びSi-As-Te閾値スイッチは,0.5Vにおいて~120倍に低められた漏れ電流をもつメモリ層の抵抗スイッチングを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ヒ素 ,  *テルル ,  *半導体薄膜 ,  スイッチング ,  選別器 ,  化学組成 ,  欠陥密度 ,  キャリア生成 ,  漏れ電流 ,  *クロスオーバー効果
準シソーラス用語： *抵抗メモリ ,  *クロスオーバー ,  シリコン ,  *閾値スイッチング ,  セレクタ ,  閾値電圧 ,  二酸化チタン

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： クロスオーバー ,  抵抗メモリ ,  セレクタ ,  Si ,  Te ,  薄膜 ,  閾値 ,  スイッチング