文献

J-GLOBAL ID：201202261944487412   整理番号：12A1030187

シリコンからトポロジカル絶縁体中へのスピン注入に向けて:SiとBi₂Se₃の間のSchottky障壁

Towards spin injection from silicon into topological insulators: Schottky barrier between Si and Bi₂Se₃

著者 (5件)： OJEDA-ARISTIZABAL C. (Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA) ,  FUHRER M. S. (Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA) ,  BUTCH N. P. (Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA) ,  PAGLIONE J. (Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA) ,  APPELBAUM I. (Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 2  ページ： 023102-023102-4  発行年： 2012年07月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンからスピン分極電子を注入して,トポロジカル絶縁体表面状態におけるスピン-運動量結合を電気的に測定するスキームを提案した。初期法として,シリコンとBi₂Se₃に独立した電気接触が付いた,n型シリコン上のBi₂Se₃の薄い(<100nm)剥離した結晶から成る素子を作成した。逆バイアスにおける熱電子放出の温度依存性を分析して,Si-Bi₂Se₃界面の障壁高さが0.34eVになることを示した。このロバストなSchottky障壁から,Bi₂Se₃からSi中へのサブバンドギャップ内部光電子放出に基づく独創的な素子構造の可能性が開ける。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  絶縁材料 ,  セレン化物 ,  ビスマス化合物 ,  注入 ,  スピン分極 ,  N型半導体 ,  *Schottky障壁 ,  熱電子放出 ,  相互作用 ,  表面準位 ,  電流電圧特性 ,  絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： スピン-運動量結合 ,  *スピン注入 ,  *セレン化ビスマス

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  トポロジカル絶縁体 ,  スピン注入 ,  Si ,  Schottky障壁