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J-GLOBAL ID：201202261990359330   整理番号：12A0832820

薄膜太陽光発電に対する半導体欠陥レベルとその分岐のドーピングおよびトラッピングの二元的役割

Dual roles of doping and trapping of semiconductor defect levels and their ramification to thin film photovoltaics

著者 (1件)： CHIN Ken K. (Dep. of Physics and Apollo CdTe Solar Energy Res. Center, New Jersey Inst. of Technol., Newark, New Jersey 07102, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 10  ページ： 104509-104509-9  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリアドーピングおよびトラッピング(Scockley-Read-Hall生成-再結合)に対する半導体の局所化した真性/不純物欠陥レベルの二元的役割に関し,今までこれらを別々にまた一貫性なく処理していることが指摘されている。ドーピング-トラッピングの二元的役割に対して,イオン化または活性化エネルギーの代わりに遷移Gibbs自由エネルギーレベルが使用されるべきであると提案されている。ドーピングおよびトラッピングの有効性を定性的に評価するためには,ドーピング効率η_dと2つの型のトラッピング効率η_tとη_SRHの概念を提案する。η_d,η_tとη_SRHの関係を公式化する。異なったタイプの欠陥レベルに対するη_SRHの様々な値を発表する。捕獲についての提案した概念と効率の影響を多結晶薄膜太陽電池に対して調べる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *欠陥準位 ,  *ドーピング ,  *キャリア捕獲 ,  Gibbs自由エネルギー ,  薄膜 ,  不純物準位 ,  太陽光発電
準シソーラス用語： 多結晶薄膜 ,  *電荷トラッピング ,  *薄膜太陽電池

分類 (3件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜 ,  太陽光発電 ,  欠陥レベル ,  分岐 ,  ドーピング ,  トラッピング ,  役割