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J-GLOBAL ID：201202261990554213   整理番号：12A0957624

金属-ペンタセン接合におけるFermiレベルピニング現象に及ぼす製作後の熱アニーリングの効果

Effect of post-fabrication thermal annealing on Fermi-level pinning phenomenon in metal-pentacene junctions

著者 (7件)： JEONG Seong-guk (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  PARK Hyung-youl (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  LIM Myung-hoon (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  JUNG Woo-shik (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305, USA) ,  YU Hyun-yong (School of Electrical Engineering, Korea Univ., Seoul 136-701, KOR) ,  ROH Yonghan (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  PARK Jin-hong (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 9  ページ： 1511-1515  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究において,著者らはN₂雰囲気で25から150°Cまででアニールされたペンタセン膜の特性をXRD及びAFM分析で調べた。膜の電気的キャラクタリゼーションも又各々の温度における伝達長法(TLM)により行った。これらの結果はAl及びTiペンタセン接合におけるFermiレベルピニング現象と関連させた。双方の接合に対して,アニーリング温度の増加と共にペンタセン膜の表面特性が変わるにつれてFermiレベルピニングにより調節されたホール障壁高さ(h-BH)は効率的に減少した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 熱処理 ,  高さ ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  アルミニウム ,  チタン ,  薄膜トランジスタ ,  *電極 ,  *ピン止め ,  *接合 ,  *Fermi準位 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *アルミニウム電極 ,  *チタン電極 ,  障壁高さ ,  熱アニーリング ,  OTFT

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： ペンタセン ,  Fermiレベルピニング ,  現象 ,  製作 ,  熱アニーリング