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J-GLOBAL ID：201202262124177865   整理番号：12A1706162

高品質のp型化学蒸着{111}配向島状構造: 成長と関連する電子素子の作製

High quality p-type chemical vapor deposited {111}-oriented diamonds: Growth and fabrication of related electrical devices

著者 (5件)： LAZEA Andrada (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  LAZEA Andrada (National Inst. for Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest, ROM) ,  GARINO Yiuri (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TERAJI Tokuyuki (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KOIZUMI Satoshi (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 10  ページ： 1978-1981  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド系電子素子の開発には高品質のp型及びn型ダイヤモンド層が必要である。合成したIb{111}配向ダイヤモンド基板上にマイクロ波プラズマ活性化化学蒸着により成長させた硼素ドープダイヤモンド膜の品質を,低温陰極線ルミネセンス分析とHall測定の相関から推定した。低プラズマ出力(450~500W)と低メタン濃度(0.05%[CH₄]/[H₂])により高品質の膜が得られた。Hall移動度は室温で550cm²V^-1s^-1であった。特性励起子発光ピークを観測した。

シソーラス用語： *薄膜 ,  薄膜成長 ,  *プラズマCVD ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  *Hall移動度 ,  陰極線ルミネセンス ,  電流電圧特性 ,  発光スペクトル ,  アルカン
準シソーラス用語： *ダイヤモンド薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (7件)： 高品質 ,  化学蒸着 ,  配向 ,  島状構造 ,  成長 ,  電子素子 ,  作製