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J-GLOBAL ID:201202262144412658   整理番号:12A1391223

光熱ビーム偏向技法を用いるSnS薄膜の熱特性および電子キャリア輸送特性の測定

Determination of thermal and electronic carrier transport properties of SnS thinfilms using photothermal beam deflection technique
著者 (4件):
資料名:
巻: 47  号: 11  ページ: 3758-3763  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光熱ビーム偏向技法は薄膜の非破壊試験用の効率的なツールである。光起電力電池の吸収層として利用される一硫化スズの薄膜を化学スプレイ熱分解技法によって析出させ,光熱ビーム偏向技法を用いてそのキャリア輸送特性を測定した。スプレイ速度,Sn/S比および基板温度を変化させるなどさまざまなスプレイ条件下で作製したこれらの膜の熱拡散係数,少数キャリア寿命,移動度および表面再結合速度を測定した。これらの膜の熱画像を構築するためにも光熱ビーム偏移技法を使用して膜均一性を評価した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固-気界面一般  ,  塩 

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