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J-GLOBAL ID：201202262514316017   整理番号：12A1321441

ナノインプリント技術で製作した3Dフィン状チャネルを持つポリSi TFTの特性調査

Study on Characteristics of Poly-Si TFTs With 3-D Finlike Channels Fabricated by Nanoimprint Technology

著者 (3件)： CHEN Henry J. H. (National Chi Nan Univ., Nantou, TWN) ,  JHANG Jia-Rong (National Chi Nan Univ., Nantou, TWN) ,  HUANG Chien-Jen (National Chi Nan Univ., Nantou, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 9  ページ： 2314-2320  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤ(NW)またはフィン状チャネルのポリSi TFTはシステムオンパネル(SoP)の埋め込みメモリデバイスとして魅力的であり,Eビームや干渉リソグラフィで作られるがプロセスが複雑である。本研究は,低コストでスループットの高い紫外線ナノインプリントを使って製作した3Dフィン状チャネルのポリSi TFTの特性を記す。線幅/間隔比が1:1のポリSi3Dフィン状チャネルを製作した。このTFTは単チャネルのものと比較して閾値電圧が低く,オン/オフ電流比が大きく,サブ閾値スイングが良好で電界有効移動度が大きい。粒界効果が低減されコーナー効果も改善される。3Dフィン状ポリSi TFTの性能は,3Dフィン状構造の幅/間隔比と高さを増すことによって最適化される。デバイスは低コストの高性能SoP製品に最適である。

シソーラス用語： フィン ,  FET【トランジスタ】 ,  押付成形 ,  *ポリシリコン ,  センサ ,  *薄膜トランジスタ ,  キャラクタリゼーション ,  電圧 ,  リソグラフィー ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： FinFET ,  TFT【トランジスタ】 ,  ナノインプリント ,  *ナノインプリントリソグラフィー ,  特性調査 ,  閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノインプリント ,  製作 ,  3D ,  フィン ,  チャネル ,  ポリSi ,  TFT ,  特性調査