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J-GLOBAL ID：201202262577689484   整理番号：12A1066792

有機金属化学気相蒸着によるMgO(110)基板上へのGa₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of Ga₂O₃ thin films on MgO (110) substrate by metal-organic chemical vapor deposition

著者 (6件)： MI Wei (School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  MA Jin (School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  ZHU Zhen (School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  LUAN Caina (School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  LV Yu (School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  XIAO Hongdi (School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 354  号： 1  ページ： 93-97  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相堆積によって,MgO(110)基板上にさまざまな温度で酸化ガリウム(Ga₂O₃)薄膜を製膜した。Ga₂O₃膜の構造的,光学的特性を詳細に調査した。650°Cで得られたGa₂O₃膜は単斜晶構造を有する最もよい結晶化度を示した。微細構造解析から,β-Ga₂O₃(<span style=text-decoration:overline>1</span>02)∥MgO(110)とGa₂O₃[010]∥MgO[001]の明確なエピタキシャル関係が明らかになった。図式図を提案し,2回回転ドメイン構造の成長機構を解明した。可視波長領域における膜の平均透過率は90%を超えていた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *酸化ガリウム ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  *蒸着膜 ,  *ヘテロエピタクシー ,  単斜晶系 ,  *結晶度 ,  光透過 ,  微細構造 ,  可視光

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化学 ,  気相蒸着 ,  MgO ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長