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J-GLOBAL ID：201202262588158430   整理番号：12A1037061

Al₂O₃高kゲートスタックのフラッシュメモリセルにおける動作条件下の異常V_TH/V_FBシフトの研究

Investigation of Abnormal V_TH/V_FB Shifts Under Operating Conditions in Flash Memory Cells With Al₂O₃ High-κ Gate Stacks

著者 (7件)： TANG Baojun (Liverpool John Moores Univ. (JMU), Liverpool, GBR) ,  ZHANG Wei Dong (Liverpool John Moores Univ. (JMU), Liverpool, GBR) ,  ZHANG Jian Fu (Liverpool John Moores Univ. (JMU), Liverpool, GBR) ,  VAN DEN BOSCH Geert (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  TOLEDANO-LUQUE Maria (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  GOVOREANU Bogdan (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  VAN HOUDT Jan (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 7  ページ： 1870-1877  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20nm以降のフラッシュメモリ技術として,SiO₂/Al₂O₃のような高kスタックがポリ間誘電体(IPD)またはブロッキング層として提案されている。低動作電界における異常V_TH/V_FBシフト,すなわち低い正ゲートバイアスでV_TH/V_FBが減少し,低い負ゲートバイアスで増加するという現象の原因を調べた。この不安定性の原因は,ゲートからでも誘電緩和からの電子の捕獲/放出でもないことが判明した。実験で明らかになったことは,このシフトは1000°Cかそれ以上のデポジション後アニーリングで発生したAl₂O₃層の中にある可動電荷によるものである。この電荷はプログラムと消去ウィンドウで約0.5Vの不安定性の原因となるが,フラッシュメモリセルのリード/パスディスターバンスをほとんど一桁改善する。

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  キャリア捕獲 ,  *フラッシュメモリ ,  フローティングゲート ,  誘電体 ,  不安定性 ,  電子捕獲 ,  電圧 ,  バンド構造 ,  電荷移動 ,  *ゲート【半導体】
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  フラットバンド電圧 ,  高k誘電体 ,  電荷捕獲 ,  *閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al2O3 ,  ゲートスタック ,  フラッシュ ,  メモリセル ,  動作条件 ,  シフト ,  研究