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J-GLOBAL ID：201202262845639371   整理番号：12A0783396

高分子基膜上の溶媒蒸気アニーリングによる有機半導体単結晶の直接生成

Direct formation of organic semiconducting single crystals by solvent vapor annealing on a polymer base film

著者 (8件)： LIU Chuan (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Tsukuba, JPN) ,  MINARI Takeo (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Tsukuba, JPN) ,  LI Yun (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Tsukuba, JPN) ,  KUMATANI Akichika (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Tsukuba, JPN) ,  LEE Michael V. (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Tsukuba, JPN) ,  PAN Si Hui Athena (Brandeis Univ., USA) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Tsukuba, JPN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 17  ページ： 8462-8469  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶媒蒸気アニーリング(SVA)により高分子基膜(PBF)上へ有機半導体の単結晶を調製した。種々の溶媒と基膜を用いた検討から高分子基膜の溶解度が溶媒の吸収を大きく高め,これにより表面の小分子は更に拡散できることが分かった。この機構を基に,高分子表面上のジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェンの成長した結晶粒径は下のPMMA膜の厚さを変えることによって制御できる。PBF上のSVAは高分子誘電体上に有機単結晶を直接調製するための一般的で有望な方法になると考えられる。

シソーラス用語： *高分子膜 ,  *焼なまし ,  *溶媒 ,  *蒸気 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  膜厚 ,  *有機半導体 ,  *単結晶 ,  溶解度 ,  拡散 ,  芳香族縮合化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  スピンコーティング ,  結晶成長 ,  結晶粒径 ,  誘電体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ポリビニルピロリドン ,  ポリメチルスチレン ,  依存性 ,  環状エーテル ,  脂肪族塩素化合物 ,  トリハロメタン ,  シクロアルカン
準シソーラス用語： *PMMA ,  *PMMA膜 ,  PVP【ポリマ】 ,  *アニーリング処理 ,  膜厚依存性 ,  ベンゾチオフェン誘導体

分類 (3件)： チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (4件)： THF ,  クロロホルム ,  シクロヘキサン ,  3,8-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子 ,  溶媒蒸気 ,  アニーリング ,  有機半導体 ,  単結晶