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J-GLOBAL ID：201202262861228829   整理番号：12A0345267

改善した表現能力をもつ構成可能論理回路のための両極性ゲート可変SiNW FET

Ambipolar Gate-Controllable SiNW FETs for Configurable Logic Circuits With Improved Expressive Capability

著者 (3件)： SACCHETTO Davide (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  LEBLEBICI Yusuf (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  DE MICHELI Giovanni (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 2  ページ： 143-145  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代回路を実現するために新しいデバイス機能が追求されている。それは,二重ゲートおよびゲート関連ナノワイヤデバイスのような新しい構造であり,高k誘電体および金属ゲートのような新しい材料である。本レターでは,二重独立ゲート(DIG)構造の両極性SiNW FETが,増大する論理表現力をもつSi回路に対する方法として,極性制御信号の利用を可能にすることを報告した。さらに,極性制御の利用は,双極性動作に関してI_on-I_off比および逆サブ閾値傾斜について性能改善することを示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  極性 ,  ゲート【半導体】 ,  制御 ,  ナノワイヤ ,  *論理回路 ,  誘電体
準シソーラス用語： シリコンナノワイヤ ,  シリコンナノワイヤFET ,  高k誘電体 ,  *両極性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 表現 ,  能力 ,  論理回路 ,  両極性 ,  ゲート ,  可変 ,  FET