文献
J-GLOBAL ID:201202262984840618   整理番号:12A0960641

シリコンのフッ化水素酸,硝酸,および酢酸エッチングにより形成された半球キャビティを採用したエレクトロウェッティングレンズ

Electrowetting Lens Employing Hemispherical Cavity Formed by Hydrofluoric Acid, Nitric Acid, and Acetic Acid Etching of Silicon
著者 (5件):
資料名:
巻: 51  号: 6,Issue 2  ページ: 06FL05.1-06FL05.7  発行年: 2012年06月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
われわれはこの研究で,高アスペクト比の半球レンズキャビティとマイクロ電気機械システム(MEMS)製造プロセスを採用したエレクトロウエッティングレンズの設計を示す。 われわれの予備的なシミュレーション結果ではレンズの物理的および電気的耐久性が半球状のキャビティにおける絶縁体上のストレスの軽減によって改善できることを示した。 さまざまな直径と非常に滑らかな側壁面を備えた高アスペクト比の半球状の空洞をシリコンウェハ上に洗練された等方性ウェットエッチング技術により均一に作製した。 さらに,われわれは提案されたキャビティを有するMEMSベースのエレクトロウエッティングレンズの光学特性を実験的に調べた。 提案されたレンズキャビティ内の2つの非混和性液体は,無視できる光学歪みと,完全に軸対称の形状とキャビティの滑らかな側壁による低い焦点距離ヒステリシスをもつて静電的に制御された。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光デバイス一般 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
引用文献 (30件):
もっと見る

前のページに戻る