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J-GLOBAL ID：201202263031522135   整理番号：12A1032511

透明導電性酸化膜に対する堆積温度依存のZn位置に対するGaの置換メカニズム

Substitution mechanism of Ga for Zn site depending on deposition temperature for transparent conducting oxides

著者 (7件)： LEE Deuk-hee (Electronic Materials Res. Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR) ,  LEE Deuk-hee (Dep. of Electrical Engineering and Inst. for Nanoscience, Korea Univ., Seoul 136-701, KOR) ,  KIM Kyoungwon (Electronic Materials Res. Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR) ,  KIM Kyoungwon (Dep. of Electrical Engineering and Inst. for Nanoscience, Korea Univ., Seoul 136-701, KOR) ,  CHUN Yoon Soo (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., Seoul 156-756, KOR) ,  KIM Sangsig (Dep. of Electrical Engineering and Inst. for Nanoscience, Korea Univ., Seoul 136-701, KOR) ,  LEE Sang Yeol (Dep. of Semiconductor Engineering, Cheongju Univ., Cheongju, Chungbuk 360-764, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 12  号： 6  ページ： 1586-1590  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質透明導電性ガリウムドープ亜鉛酸化物(GZO)薄膜を室温(RT)から500°Cの温度範囲で高周波マグネトロンスパッタリングシステムによりガラス基板上に堆積した。ZnOの構造,光および電気特性についてのGaドーピング効果の温度依存性を研究した。200°C以上で堆積したGZO薄膜に対して,X線回折解析により,強い(103)配向を観察した。それはGa元素のZn位置への置換によるものである。X線光電子分光法測定によると300°C以上の温度で酸素空孔が発生したことが分かった。このことは高温ではZn位置に対してGa³⁺の有効な置換があることを示す。光学的バンドギャップは堆積温度の上昇により増加することも分かった。可視光ではGZO膜の光透過率が87%以上であった。500°Cで成長したGZO薄膜は4.50×10^-4Ωcmの低い電気抵抗率,6.38×10²⁰cm^-3のキャリア濃度および21.69cm²/Vのキャリア移動度を示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化膜 ,  *透明導電膜 ,  温度 ,  結合部位 ,  *亜鉛 ,  *ガリウム ,  *置換 ,  機構 ,  酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング ,  空格子点 ,  光学ギャップ ,  透過率 ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： GZO【酸化物】 ,  酸素空孔 ,  成長温度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 導電性 ,  酸化膜 ,  堆積 ,  温度依存 ,  Zn ,  Ga ,  置換 ,  メカニズム