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J-GLOBAL ID:201202263333863950   整理番号:12A0533229

電界を利用したガラスの表面改質技術

著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: 8-16  発行年: 2012年02月01日 
JST資料番号: L1919B  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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電界印加法によるイオン交換処理は,処理する範囲,厚み,時間等の条件を制御しながら,均一なイオン交換濃度の処理層を形成可能という,従来のイオン交換処理法にはない特長を備えたガラス表面改質技術である。本技術をガラス成型品に適用した例として,ガラス強度の強化や微小領域に光導波路を製作した事例について紹介する。また本技術を初めてグラスライニングに対して適用することにより,グラス中に含まれるNa+,K+,Li+等のアルカリ金属イオンは,電界によって下層に移動して元の1/10以下に低下し,代わりにH+やH3O+が導入された層を形成できることがわかった。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (4件):
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ガラスの性質・分析・試験  ,  吸着,イオン交換  ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  セラミック材料試験 
タイトルに関連する用語 (3件):
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