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J-GLOBAL ID：201202263499552848   整理番号：12A0582071

極端に短いGaN-オン-Si高電子移動度トランジスタにおける電子局限に対する閉じ込め効果依存

Trapping Effects Dependence on Electron Confinement in Ultrashort GaN-on-Si High-Electron-Mobility Transistors

著者 (6件)： MEDJDOUB Farid (Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  DUCATTEAU Damien (Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  ZEGAOUI Malek (Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  GRIMBERT Bertrand (Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  ROLLAND Nathalie (Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  ROLLAND Paul-Alain (Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 3  ページ： 034103.1-034103.3  発行年： 2012年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端に短いAlN/GaN-オン-Si高電子移動度トランジスタにおける電子局限への閉じ込め効果の依存について報告した。後ろ障壁の使用は,高電流密度と高電圧動作を提供しながら電流崩壊の思い切った低減を可能にした。これは,8GHzにおける優れたRF出力性能となった。ミリ波適用でGaN-オン-Si技術の画期的な性能を約束する高バイアス下で低RF分散のサブ-100-nm-ゲート-長 GaN-オン-Siデバイスを達成する可能性も初めて示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ケイ素 ,  電子移動 ,  *トランジスタ ,  閉込め ,  障壁 ,  電流密度 ,  バイアス
準シソーラス用語： キャリア閉込め

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• THERRIEN, R. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005, 568
• MEDJDOUB, F. Device Research Conf. Tech. Dig., 2010. 2010, 195
• DUMKA, D. C. Electron. Lett. 2004, 40, 1023
• HOSHI, S. Appl. Phys. Express. 2009, 2, 061001
• MARTI, D. Appl. Phys. Express. 2010, 3, 124101

タイトルに関連する用語 (3件)： 高電子移動度トランジスタ ,  電子 ,  閉じ込め効果