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J-GLOBAL ID：201202263559719739   整理番号：12A0340979

堆積速度への膜空隙率依存性の異常

Anomaly of film porosity dependence on deposition rate

著者 (4件)： STAGON Stephen P. (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA) ,  HUANG Hanchen (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA) ,  KEVIN BALDWIN J. (MS K771, Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA) ,  MISRA Amit (MS K771, Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 6  ページ： 061601  発行年： 2012年02月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターは,空隙率が堆積速度低下と共に増大するという,物理蒸着中における堆積速度への膜空隙率依存性の異常を報告した。SiO₂基板上へのCuのすれすれ角堆積を用いて,堆積速度が1nm/sのとき,Cu膜は十分に分離したナノロッドからなっていること,そして,堆積速度が6nm/sのとき,Cu膜がより一様な膜からなっていることを示した(他のすべての堆積条件は同一であった)。この異常は,基板非ウェッティング,基板上のCu核の密度,及び最小直径のナノロッド間の相互作用の結果であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *銅 ,  *ナノロッド ,  金属薄膜 ,  *二酸化ケイ素 ,  基板 ,  蒸着 ,  *空隙率 ,  *堆積速度 ,  濡れ ,  核形成 ,  直径
準シソーラス用語： すれすれ蒸着 ,  一様性

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 堆積速度 ,  空隙率