p型リン化インジウム・エピタキシャル膜に対するプラズマ周波数と誘電関数のドーピングと温度依存性

JAYASINGHE R C; LAO Y F; PERERA A G U; HAMMAR M; CAO C F; WU H Z

文献

J-GLOBAL ID：201202263651934174 整理番号：12A1726985

p型リン化インジウム・エピタキシャル膜に対するプラズマ周波数と誘電関数のドーピングと温度依存性

Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films

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Journal of Physics. Condensed Matter (Journal of Physics. Condensed Matter)

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巻： 24 号： 43 ページ： 435803,1-8 発行年： 2012年10月31日
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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