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J-GLOBAL ID：201202263730406990   整理番号：12A1095275

パルス,DC,AC測定によるSi-Ge HBTsにおける自己発熱のキャラクタリゼーション

Characterization of self-heating in Si-Ge HBTs with pulse, DC and AC measurements

著者 (6件)： SAHOO Amit Kumar (Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA) ,  FREGONESE Sebastien (Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA) ,  WEISS Mario (Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA) ,  GRANDCHAMP Brice (Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA) ,  MALBERT Nathalie (Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA) ,  ZIMMER Thomas (Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 76  ページ： 13-18  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,マイクロ波ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBTs)における自己発熱の広範な評価を提示する。特に,DC測定,パルス測定,および低周波数パラメータ測定を行った。パルス測定については,集中定数素子の最適化ならびにキャラクタリゼーションを含めて詳細に説明する。熱パラメータは,HiCuM L2の温度ノードに接続された再帰的電熱ネットワークのために抽出された。簡単なモデル・シミュレーションを,時間および周波数領域で検証し,様々なデバイスの形状寸法に対して非常に良い一致が得られることを明らかにした。熱キャパシタンス(C_TH)抽出のための提示するアプローチの精度は,低周波数y-パラメータで確証された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,  *加熱 ,  *キャラクタリゼーション ,  固体素子モデル ,  集中定数系 ,  熱容量
準シソーラス用語： *自己発熱

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  DC ,  Ac ,  自己発熱 ,  キャラクタリゼーション