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J-GLOBAL ID：201202263784869243   整理番号：12A0655683

炭素注入/熱酸化による4H-SiC Pinダイオードの特性

Characteristics of a 4H-SiC Pin Diode With Carbon Implantation/Thermal Oxidation

著者 (7件)： NAKAYAMA Koji (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  TANAKA Atsushi (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  NISHIMURA Masahiko (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  ASANO Katsunori (Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN) ,  MIYAZAWA Tetsuya (Central Res. Inst. Electric Power Ind., Yokosuka, JPN) ,  ITO Masahiko (Central Res. Inst. Electric Power Ind., Yokosuka, JPN) ,  TSUCHIDA Hidekazu (Central Res. Inst. Electric Power Ind., Yokosuka, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 4  ページ： 895-901  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCはSiに比べて格子パラメータが小さく,エネルギーバンドギャップは遥かに大きい。今回,厚いドリフト層を用いた炭素注入又は熱酸化によるPINダイオードを作製し,順方向及び逆回復特性を調べた。N型(0001)4H-SiCウエハを用いた。Ti/Al陽極,P⁺層,N^-層,N⁺基板,Ni陰極の積層構造を有する。250°Cにおける逆回復特性では炭素注入素子が熱酸化素子よりも回復時間が長く,順方向電圧降下はバルクキャリア寿命に依存することが示唆された。

シソーラス用語： *水素化 ,  *炭化ケイ素 ,  炭素 ,  イオン注入 ,  N型半導体 ,  *PINダイオード ,  PIN接合 ,  逆方向 ,  回復 ,  積層構造 ,  素子構造 ,  電圧降下 ,  キャリア寿命 ,  熱酸化 ,  電流電圧特性

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素 ,  注入 ,  熱酸化 ,  4H-SiC ,  PINダイオード