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J-GLOBAL ID：201202263798503489   整理番号：12A1568061

リン化インジウムナノワイヤの双方向成長

Bidirectional Growth of Indium Phosphide Nanowires

著者 (5件)： IKEJIRI Keitaro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ISHIZAKA Fumiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Kawaguchi, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 9  ページ： 4770-4774  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂膜をInP(111)AまたはInP(111)B基板に形成後,その膜の一部を電子線リソグラフィで取り除いて基板を曝露し,トリメチルインジウム(TMIn)とtert-ブチルホスフィン(TBP)をガス源としてMOVPEによりInPナノワイヤを成長させ,p型ドーパントであるZnのガス源,ジエチル亜鉛の供給比[DEZn]がナノワイヤの形態と結晶構造に与える影響を調べた。InP(111)B基板上では,低い[DEZn]のとき三つのナノワイヤが[111]A方向へ分岐する特徴を持った三脚構造に成長した。高い[DEZn]では,(111)B基板に垂直な六角柱構造を示した。これらの結果は,成長方向が[DEZn]の増大と共に[111]Aから[111]Bに変化することを示している。そこで,回転双晶の入射ファセットと成長構造の形との間の相関に基づく成長機構を提案した。これらの結果により,非極性のSi基板上におけるナノワイヤの方向の制御に一歩近づくとともに,これらはInPナノワイヤデバイスの開発に応用できるであろう。

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  *性質 ,  MOCVD ,  基板 ,  結晶形態 ,  結晶構造 ,  ドーパント ,  機構
準シソーラス用語： MOVPE ,  三脚構造 ,  成長機構 ,  *成長方向 ,  *双方向性 ,  六角柱構造

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (3件)： tert-ブチルホスフィン ,  ジエチル亜鉛 ,  トリメチルインジウム

タイトルに関連する用語 (4件)： リン化インジウム ,  ナノワイヤ ,  双方向 ,  成長