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J-GLOBAL ID：201202263817615854   整理番号：12A1767951

MgOのトンネル障壁におけるCo₂MnSiから成るトンネル磁気抵抗電極の深さ選択電子特性と磁性

Depth-selective electronic and magnetic properties of a Co₂MnSi tunnel magneto-resistance electrode at a MgO tunnel barrier

著者 (7件)： KRUMME B. (Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...) ,  EBKE D. (Thin Films and Nanostructures, Dep. of Physics, Univ. of Bielefeld, P.O. Box 100131, D-33501 Bielefeld, DEU) ,  WEIS C. (Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...) ,  MAKAROV S. I. (Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...) ,  WARLAND A. (Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...) ,  HUETTEN A. (Thin Films and Nanostructures, Dep. of Physics, Univ. of Bielefeld, P.O. Box 100131, D-33501 Bielefeld, DEU) ,  WENDE H. (Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 23  ページ： 232403-232403-4  発行年： 2012年12月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgOのトンネル障壁の界面におけるMgO(100)上に堆積させたCo₂MnSi薄膜の電子構造と磁性を,X線吸収分光法とX線磁気円二色性によって研究した結果を報告する。Mnに関するXASスペクトルは占有されていないd状態の増加を示しているのに対して,キャッピング層の関数として求めたCo原子の電子構造は変化しないことが分かった。実験結果は,B.Huelsen等[Phys.Rev.Lett.103,046802(2009)]による研究において提案された界面構造,即ちMnSi層は第一MgO層の表面における酸素原子を持つMgOとの界面に存在する構造と矛盾しないことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化マグネシウム ,  誘電体薄膜 ,  ポテンシャル障壁 ,  *コバルト合金 ,  マンガン含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  *MIM構造 ,  *トンネル効果 ,  *磁気抵抗効果 ,  電子構造 ,  X線吸収分光法 ,  磁気円二色性 ,  X線吸収スペクトル ,  被覆層 ,  表面構造 ,  *TMR素子
準シソーラス用語： X線磁気円二色性 ,  *トンネル磁気抵抗効果 ,  トンネル障壁 ,  界面構造

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  トンネル障壁 ,  トンネル磁気抵抗 ,  電子 ,  磁性