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J-GLOBAL ID：201202263840991588   整理番号：12A1650202

CeO₂(111)をバッファ層として用いたSi(111)上のZnO膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of ZnO film on Si(1 1 1) with CeO₂(1 1 1) as buffer layer

著者 (7件)： WONG T I (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  WONG T I (ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP) ,  TAN H R (ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP) ,  SENTOSA D (ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP) ,  WONG L M (ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP) ,  WANG S J (ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP) ,  FENG Y P (National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 41  ページ： 415306,1-7  発行年： 2012年10月17日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着法を使って,Si(111)上にCeO₂をバッファ層に持つZnO(002)エピタキシャル膜を成長させ,その界面構造の性質とフォトルミネセンスを調べた。高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)像によるモルフォロジー解析から,得られたエピタキシャル膜は欠陥濃度が低く,品質の高い膜が形成されたことがわかった。これは,ドメイン整合エピタクシーによって,ZnOとCeO₂間の大きな格子不整合による界面歪みが緩和されたことを意味している。また,バッファ層とZnOエピタキシャル膜との面配向関係は,(002)[210]_ZnO||(111)[112]_CeO2||(111)[112]であることがわかった。得られた観測結果を,ドメイン整合エピタクシー理論による予測と比較し論じた。また,光学的性質を調べるために,室温でのフォトルミネセンス測定を行い,バンド端付近の3.253eVに鋭いフォトルミネセンス発光を検出した。

シソーラス用語： 酸化セリウム ,  バッファ層 ,  *透明導電膜 ,  *エピタクシー ,  レーザ蒸着 ,  表面構造 ,  光ルミネセンス ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  格子不整合 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *ZnO薄膜 ,  *エピタキシャル成長 ,  界面構造 ,  フォトルミネセンス ,  高分解能透過型電子顕微鏡

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： バッファ層 ,  Si ,  ZnO ,  エピタキシャル成長